问题不是关于编程,而是关于电子学。我使用 STM32 板生成 PWM,使用此 PWM 需要以 24V 的电压转动电动机。也就是说,您需要以某种方式将 PWM 电压从 3V 增加到 24V。如果您尝试制造晶体管,那么在 3V 的电压下,很少有人完全打开。因此,有必要使用两个或一些我仍然不知道的自举电容器方法。如果有人遇到这样的困难,请告诉我们您是如何解决的?
问题不是关于编程,而是关于电子学。我使用 STM32 板生成 PWM,使用此 PWM 需要以 24V 的电压转动电动机。也就是说,您需要以某种方式将 PWM 电压从 3V 增加到 24V。如果您尝试制造晶体管,那么在 3V 的电压下,很少有人完全打开。因此,有必要使用两个或一些我仍然不知道的自举电容器方法。如果有人遇到这样的困难,请告诉我们您是如何解决的?
您要么不了解如何通过 PWM 控制负载,要么我不了解您。如果您有一个传统的集电极直流电机,那么以这个电路为例(网络中有一百万个)
其中 VCC 是您的最大 24V 电压。选择几 kHz 的 PWM 频率,并通过改变脉冲的占空比来调整速度。这里有 3V 或 10 或有多少。您的幅度值不会改变 - 它始终是 24V,因此晶体管会打开,但负载上的平均电压会根据脉冲宽度而变化。但请记住,发动机转速会根据轴上的负载而变化,因此通常以转速计或霍尔传感器的形式引入反馈。微控制器测量实际发动机转速并进行额外调整。如果你使用这个电路,别忘了在功率晶体管和微控制器之间做一个去耦,以另一个晶体管或光耦合器的形式。
如果没有足够的电压来打开 FET,则可以使用双极晶体管直接驱动负载或驱动 FET。例如,可以控制场效应晶体管,制作分压器,其上臂将是连接到负载电源电压的电阻器,而下臂将是低电流 npn 晶体管。电阻器的选择是在场效应晶体管的打开速度和双极晶体管打开时通过它的恒定电流之间的折衷。由于双极晶体管是电流控制的,因此在它和控制器输出之间需要一个限流电阻。